Tuttavia, i transistor sono caratterizzati da diversi parametri, ciascuno con la propria unità:
* Guadagno di corrente (β o HFE): Questo è un rapporto senza dimensioni, che rappresenta il fattore di amplificazione del transistor. È il rapporto tra corrente del collettore e corrente di base.
* Tranconduttanza (GM): Misurato in siemens (s) o mho (℧) . Ciò rappresenta la modifica della corrente di uscita per una modifica della tensione di ingresso.
* Resistenza di uscita (RO): Misurato in ohm (ω) . Rappresenta la resistenza del circuito di uscita.
* Resistenza di input (RI): Misurato in ohm (ω) . Rappresenta la resistenza del circuito di ingresso.
* Dissipazione di potenza: Misurato in watts (w) . Ciò indica la massima potenza che il transistor può gestire senza surriscaldamento.
* Tensione: Misurato in volt (v) . Ciò si riferisce alla tensione attraverso diverse parti del transistor, come le giunzioni di base-emettitore o collettore-emettitore.
* Frequenza: Misurato in hertz (hz) . Ciò indica la frequenza in cui il transistor può funzionare in modo efficace.
Quindi, mentre non esiste "unità di transistor", capire le unità di questi parametri è cruciale per caratterizzare e analizzare il comportamento a transistor.
