Scienziati dei materiali presso l'Università della California, Irvine e altre istituzioni hanno fatto una scoperta rivoluzionaria nello studio delle eterostrutture di ossido, sostanze che hanno il potenziale per rivoluzionare l'elettronica avanzata, tecnologie di memoria e fotovoltaico.

In un articolo pubblicato oggi su Nanotecnologia della natura , i ricercatori riportano l'osservazione diretta di una conduttanza anisotropa su un'interfaccia ferroelettrico-isolante.

Utilizzando la sonda a scansione e le tecniche di microscopia elettronica a trasmissione, il team ha scoperto che la conduzione lungo l'interfaccia mostra un comportamento fortemente dipendente dalla direzione rispetto all'orientamento dei domini ferroelettrici a strisce nel film sottile di ferrite di bismuto su un substrato di terbio scandato. L'interfaccia conduce quando la misurazione viene eseguita parallelamente alle strisce di dominio 109° ma isola quando viene misurata in direzione perpendicolare.

Secondo l'autore corrispondente Xiaoqing Pan, Direttore dell'Irvine Materials Research Institute e professore di scienza e ingegneria dei materiali dell'UCI, questa proprietà è vantaggiosa in quanto consente la modulazione della conducibilità tramite commutazione di polarizzazione, consentendo un controllo senza precedenti di più gradi di libertà e facilitando la progettazione di nuove funzionalità nella microelettronica.

"Sebbene il nostro lavoro si concentri su questo materiale di ferrite di bismuto, questa conoscenza può essere estesa a sistemi ferroelettrici simili, " ha detto. "Riteniamo che i nostri risultati apriranno la possibilità di realizzare nuovi dispositivi a base ferroelettrica, che funzionerebbero in modo sostanzialmente diverso rispetto alle tecnologie attuali."