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  • Generazione di due tipi di operazioni di blocco della modalità ultraveloce da un laser a fibra drogata con Er basato su nanofogli di germanene
    Due tipi di operazioni di mode-locking ultraveloci da un laser a fibra drogata con Er basato su nanofogli di germanene. Crediti:Baohao Xu, Zhiyuan Jin, Lie Shi, Huanian Zhang, Qi Liu, Peng Qin, Kai Jiang, Jing Wang, Wenjing Tang, Wei Xia;

    Gli assorbitori saturabili come modulatori passivi nei laser a fibra con modalità bloccata passivamente svolgono un ruolo cruciale nella generazione di impulsi ultracorti. Il germanene, un materiale bidimensionale simile al grafene con un tempo di rilassamento del portatore rapido e un ampio coefficiente di assorbimento non lineare paragonabile a quello del grafene, è un materiale assorbente saturabile con una risposta molto rapida.

    I ricercatori guidati dal Prof. Wei Xia dell'Università di Jinan (UJN) sono interessati agli interruttori di modulazione nei laser a fibra e gli assorbitori saturabili in materiale bidimensionale sono stati un argomento di ricerca caldo negli ultimi anni.

    I materiali bidimensionali compensano gli svantaggi dei tradizionali assorbitori saturabili artificiali come la rotazione di polarizzazione non lineare e lo specchio ad anello di amplificazione non lineare con scarsa stabilità ambientale e struttura complessa. E il germanene, in quanto materiale bidimensionale emergente, ha eccellenti proprietà ottiche non lineari e l'esplorazione completa delle sue potenziali prestazioni ha un contributo positivo allo sviluppo di modulatori passivi.

    I ricercatori ne prevedono le potenziali applicazioni. Usandolo come assorbitore saturabile, è possibile ottenere l'impulso al femtosecondo e un impulso simile al rumore a energia più elevata.

    Il lavoro è pubblicato sulla rivista Frontiers of Optoelectronics .

    Ulteriori informazioni: Baohao Xu et al, Due tipi di operazioni di blocco della modalità ultraveloce da un laser a fibra drogata con Er basato su nanofogli di germanene, Frontiere dell'optoelettronica (2023). DOI:10.1007/s12200-023-00068-1

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