Uno studio di ricerca sui transistor a basso rumore e ad alte prestazioni condotto da Suprem Das, assistente professore di ingegneria dei sistemi industriali e manifatturieri, in collaborazione con ricercatori della Purdue University, è stato recentemente pubblicato da Revisione fisica applicata .

Lo studio ha dimostrato transistor su micro/nano scala realizzati con materiali sottili atomici bidimensionali che mostrano alte prestazioni e basso rumore. I dispositivi hanno meno di un centesimo del diametro di un singolo capello umano e potrebbero essere la chiave per innovare l'elettronica e il rilevamento di precisione.

Molti ricercatori in tutto il mondo stanno concentrando l'attenzione sulla costruzione della prossima generazione di transistor da materiali 2-D "esotici" su scala atomica come il di-seleniuro di molibdeno. Questi materiali sono promettenti perché mostrano un'azione del transistor ad alte prestazioni che può, nel futuro, sostituire l'elettronica al silicio di oggi. Però, pochissimi di loro stanno esaminando un altro aspetto importante:il rumore elettronico intrinseco in questa nuova classe di materiali. Il rumore elettronico è onnipresente in tutti i dispositivi e circuiti e peggiora solo quando il materiale diventa atomico sottile.

Un recente studio condotto dal gruppo di ricerca di Das ha sistematicamente dimostrato che se si può controllare lo spessore dello strato tra 10 e 15 atomi di spessore in un transistor, il dispositivo non solo mostrerà prestazioni elevate, come accendere l'interruttore, ma sperimenterà anche un rumore elettronico molto basso. Questa scoperta unica è essenziale per costruire diverse tecnologie abilitanti nell'elettronica e nel rilevamento utilizzando una serie di materiali 2-D emergenti. Questa ricerca è uno sforzo globale di una scoperta precedente, dove il team di Das ha condotto il primo studio sul rumore nei transistor MoSe2.