Proprietà intrinseche:
* BandGap Energy (EG): Questa è la differenza energetica tra la banda di valenza e la banda di conduzione. Determina l'energia minima necessaria per eccitare un elettrone dalla banda di valenza alla banda di conduzione e influenza quindi la conduttività elettrica del semiconduttore.
* Mass efficace (M*): Ciò rappresenta la massa di un elettrone o di un buco nel reticolo cristallino, che è influenzato dall'interazione con il reticolo. Colpisce la mobilità dei vettori di carica nel materiale.
* costante dielettrico (ε): Questo descrive la capacità del semiconduttore di immagazzinare energia elettrica. Influenza la capacità dei dispositivi a semiconduttore.
* mobilità elettronica (μn): Ciò rappresenta la facilità con cui gli elettroni possono muoversi attraverso il materiale sotto l'influenza di un campo elettrico.
* mobilità dei fori (μP): Ciò rappresenta la facilità con cui i fori possono muoversi attraverso il materiale sotto l'influenza di un campo elettrico.
Proprietà estrinseche:
* Concentrazione del doping (ND, NA): Ciò si riferisce alla concentrazione di atomi di impurità aggiunti al semiconduttore, che altera la sua conducibilità.
* Concentrazione portante (N, P): Ciò si riferisce alla concentrazione di elettroni e buchi liberi nel semiconduttore. È influenzato dal doping e dalla temperatura.
Altre proprietà importanti:
* Indice di rifrazione (N): Ciò descrive la flessione della luce mentre passa attraverso il semiconduttore ed è importante per le applicazioni ottiche.
* Conducibilità termica (k): Questo descrive la capacità del materiale di trasferire calore. È importante per la gestione della dissipazione del calore nei dispositivi a semiconduttore.
Le costanti di materiale specifiche di un semiconduttore dipendono dalla sua composizione, struttura cristallina e livello di doping.
Esempio: Il silicio (SI) ha un'energia di gap di banda di 1,12 eV, una mobilità elettronica di 1350 cm²/vs e una costante dielettrica di 11,8.
Comprendere queste costanti materiali è cruciale per la progettazione e l'analisi dei dispositivi a semiconduttore.
