Ricercatori presso il Nanoelectronics Research Institute dell'Istituto Nazionale di Scienze e Tecnologie Industriali Avanzate (AIST), in collaborazione con un team NIMS, hanno sviluppato una nuova tecnica per controllare la conduttività elettrica del grafene.

Nella tecnica sviluppata in questa ricerca, un fascio di ioni di elio viene irradiato su grafene utilizzando un microscopio a ioni di elio per introdurre artificialmente una bassa concentrazione di difetti cristallini, e diventa possibile modulare il movimento di elettroni e lacune nel grafene applicando una tensione all'elettrodo di gate.

Sebbene questo fenomeno di controllo della conduzione mediante introduzione di difetti cristallini fosse stato previsto teoricamente, non ci sono stati esempi in cui il funzionamento on/off a temperatura ambiente è stato ottenuto sperimentalmente. È possibile introdurre la tecnica sviluppata in questo lavoro nel quadro esistente della tecnologia di produzione, compresi i wafer di ampia superficie.

I dettagli di questa tecnologia sono stati presentati alla Conferenza Internazionale 2012 sui Dispositivi e Materiali a Stato Solido (SSDM2012) tenutasi a Kyoto, Giappone 25-27 settembre, 2012.