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    I fisici mostrano il nuovo stato di Mott in doppi strati di grafene contorti ad "angolo magico"
    I fisici dell’Università della California, Berkeley, hanno osservato un nuovo stato di Mott nei doppi strati di grafene contorti nell’“angolo magico”, dove emergono la superconduttività e altri fenomeni esotici. La scoperta, pubblicata sulla rivista Nature, getta nuova luce sulla fisica degli elettroni correlati nei materiali bidimensionali e potrebbe avere implicazioni per lo sviluppo delle future tecnologie quantistiche.

    Nei doppi strati di grafene ritorti, due strati di grafene sono impilati con un leggero angolo di torsione. Questa torsione rompe la simmetria cristallina originale del grafene e dà origine a una varietà di nuove proprietà fisiche, tra cui la superconduttività e il magnetismo.

    Lo stato di Mott è una fase della materia che si verifica nei materiali con forti correlazioni elettroniche. In un isolante di Mott, gli elettroni sono così fortemente correlati che non possono muoversi liberamente e il materiale si comporta come un isolante. La transizione Mott si verifica quando un materiale subisce un cambiamento di fase da uno stato metallico a uno stato isolante Mott all'aumentare delle correlazioni elettroniche.

    I ricercatori di Berkeley hanno osservato un nuovo tipo di stato Mott nei doppi strati di grafene contorti nell’angolo magico. Lo stato di Mott in questo sistema è caratterizzato da un peculiare modello di ordinamento della carica, in cui gli elettroni sono disposti in uno schema regolare di regioni cariche e neutre alternate.

    Questo nuovo stato di Mott è distinto dagli stati di Mott che sono stati osservati in altri materiali ed è una conseguenza delle proprietà elettroniche uniche dei doppi strati di grafene ritorti. La scoperta fornisce una nuova finestra sulla fisica degli elettroni correlati nei materiali bidimensionali e potrebbe avere implicazioni per lo sviluppo di future tecnologie quantistiche, come i superconduttori ad alta temperatura e i computer quantistici.

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