Si+2CuCl2 → SiCl4+2Cu
In questa reazione, il silicio agisce come agente riducente, trasferendo gli elettroni agli ioni rame (Cu2+) nel cloruro di rame. Di conseguenza, gli ioni rame vengono ridotti a rame elementare (Cu), che forma uno strato solido sulla superficie del silicio. Contemporaneamente, gli atomi di silicio vengono ossidati per formare tetracloruro di silicio (SiCl4), un liquido volatile.
La reazione complessiva può essere riassunta come segue:
Il silicio riduce gli ioni rame, formando rame elementare e tetracloruro di silicio.
Questa reazione è comunemente utilizzata nell'industria dei semiconduttori per rimuovere contaminanti di rame indesiderati dai wafer di silicio durante la fabbricazione di circuiti integrati. La contaminazione da rame può influenzare negativamente le proprietà elettriche dei dispositivi in silicio, quindi è essenziale eliminarla prima di ulteriori lavorazioni.
