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    Stretching del silicio:un nuovo metodo per misurare il modo in cui la deformazione influisce sui semiconduttori
    I ricercatori del National Institute of Standards and Technology (NIST) hanno sviluppato un nuovo metodo per misurare il modo in cui la deformazione influisce sulle proprietà elettriche dei semiconduttori. Questo metodo, chiamato fotoluminescenza indotta da stress (SIPL), potrebbe essere utilizzato per migliorare le prestazioni dei dispositivi a semiconduttore, come transistor e celle solari.

    I semiconduttori sono materiali che possono condurre elettricità in determinate condizioni. La conduttività di un semiconduttore può essere influenzata dalla deformazione, che è una forza che provoca l'allungamento o la compressione di un materiale. Ad esempio, quando un wafer di silicio viene allungato, la sua conduttività aumenta.

    Questo effetto è importante per i dispositivi a semiconduttore perché può essere utilizzato per controllare il flusso di elettricità. Applicando una tensione a un semiconduttore, è possibile creare canali ad alta conduttività in grado di trasportare segnali elettrici.

    Il nuovo metodo SIPL utilizza la luce per misurare la deformazione in un semiconduttore. Quando la luce colpisce un semiconduttore, può eccitare gli elettroni e farli emettere fotoni. L'energia dei fotoni emessi dipende dalla tensione nel semiconduttore. Misurando l'energia dei fotoni è possibile determinare l'entità della deformazione.

    Il metodo SIPL è molto sensibile e può misurare la deformazione fino a livelli molto piccoli. Ciò rende possibile studiare gli effetti della deformazione sui dispositivi a semiconduttore a un livello molto dettagliato. Ciò potrebbe portare a miglioramenti nelle prestazioni di questi dispositivi.

    Il nuovo metodo SIPL potrebbe essere utilizzato anche per studiare altri materiali. Ad esempio, il SIPL potrebbe essere utilizzato per studiare in che modo la deformazione influisce sulle proprietà di metalli e ceramiche. Ciò potrebbe portare a nuove conoscenze sulle proprietà meccaniche dei materiali.

    Lo sviluppo del nuovo metodo SIPL rappresenta un passo avanti significativo nel campo della ricerca sui semiconduttori. Questo metodo ha il potenziale per portare a miglioramenti nelle prestazioni dei dispositivi a semiconduttore e a nuove conoscenze sulle proprietà dei materiali.

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