Un diagramma sulla formazione del dominio di valle nel bisolfuro di molibdeno, un materiale di cristallo 2D, e il suo controllo del segnale corrente. Credito:DGIST
Un team di ricerca DGIST ha scoperto una teoria che può espandere lo sviluppo della tecnologia Valleytronics, che ha attirato l'attenzione come tecnologia dei semiconduttori di nuova generazione. Ciò dovrebbe far avanzare ulteriormente lo sviluppo della tecnologia Valleytronics, con tecnologia magnetica di nuova generazione che supera la velocità di elaborazione dei dati esistente.
DGIST ha annunciato lunedì, Il 17 giugno il team di ricerca del professor JaeDong Lee presso il Dipartimento di scienza dei materiali emergenti del DGIST ha scoperto la formazione del dominio della valle, che contribuirà alle prestazioni dei semiconduttori di prossima generazione, sviluppo di correnti anomale, e il suo meccanismo di controllo. Questa ricerca ha un significato poiché ha scoperto e applicato le correlazioni tra il dominio della valle, attuale, e due diverse grandezze fisiche.
Una valle è un vertice o un bordo dell'energia di banda ed è anche chiamata rotazione della valle. Valleytronics è l'archiviazione e l'uso di informazioni utilizzando il numero di quanti che determinano le valli. È applicabile ai futuri dispositivi elettronici e alla tecnologia di calcolo quantistico poiché la sua memorizzazione delle informazioni quantistiche supera la tecnologia di controllo della carica o dello spin esistente. Molti ricercatori stanno conducendo ricerche sul controllo della valle poiché la valletronica ha un potenziale infinito che comprende la spintronica e la nanoelettronica nel campo dell'ingegneria dei semiconduttori di prossima generazione. Però, l'effettiva applicabilità non è elevata a causa delle difficoltà nel garantire la stabilità e della quantità sufficiente di valli.
Un diagramma sulla generazione del controllo del dominio di valle e della corrente trasversale anomala dovuta a un cambiamento di deformazione. Credito:DGIST
Attraverso questa ricerca, Il team del professor JaeDong Lee ha risolto il problema della stabilità dello spin della valle scoprendo la formazione del dominio della valle nel disolfuro di molibdeno, un materiale semiconduttore monostrato 2-D di nuova generazione. Un dominio di valle è definito come dominio di elettroni con lo stesso momento di valle all'interno della materia. Il team ha identificato che un dominio di valle formato in una nanostruttura estrema può essere utilizzato per memorizzare informazioni al posto dello spin. Inoltre, il team di ricerca ha scoperto che possono generare una corrente trasversale anomala controllando la dimensione del dominio della valle. La corrente trasversale anomala si verifica inevitabilmente a causa del movimento di una parete di dominio e scorre verso una sola direzione lungo il movimento del dominio di valle. Hanno anche proposto e mostrato l'applicabilità di un meccanismo a diodi, una sostanza a nanostruttura a cristallo singolo che è diversa dal diodo a semiconduttore esistente di eterostruttura.
Il professor JaeDong Lee del Dipartimento di scienza dei materiali emergenti ha dichiarato:"Attraverso questa ricerca, abbiamo scoperto la teoria fondamentale della valleytronics che può utilizzare i due diversi fenomeni di controllo del segnale magnetico ed elettrico della valle in un singolo materiale cristallino 2-D allo stesso tempo. Ci auguriamo che la ricerca Valleytronics diventi applicabile in più campi per accelerare il progresso della bassa potenza, piattaforme di archiviazione delle informazioni ad alta velocità."
