Questa geometria molecolare e l'angolo di legame possono essere compresi sulla base della teoria della repulsione della coppia di elettroni del guscio di valenza (VSEPR). In SiS$_2$, l'atomo centrale di silicio (Si) è legato a due atomi di zolfo (S), ciascuno tramite un doppio legame. Il silicio ha quattro elettroni di valenza, di cui due sono coinvolti in doppi legami con ciascun atomo di zolfo. Ciò lascia due coppie solitarie di elettroni sull'atomo di silicio.
Secondo la teoria VSEPR, la disposizione delle coppie di elettroni attorno ad un atomo centrale adotterà una geometria che minimizzi la repulsione tra di loro. Nel caso di SiS$_2$, le due coppie solitarie di elettroni sull'atomo di silicio sono orientate il più lontano possibile per ridurre al minimo la repulsione elettrone-elettrone. Ciò si traduce in una geometria molecolare piegata con un angolo di legame di circa 119,5 gradi.
La forma molecolare angolare o a forma di V del disolfuro di silicio è influenzata dalla repulsione tra le due coppie solitarie di elettroni sull'atomo di silicio e le coppie di elettroni di legame coinvolte nei doppi legami con gli atomi di zolfo. Questa disposizione porta ad una geometria distorta della coppia di elettroni tetraedrici attorno all'atomo di silicio, dando origine alla struttura molecolare piegata.
