Credito immagine:natura, doi:10.1038/nature09979
(PhysOrg.com) -- In un rapporto pubblicato su Natura , Yu-ming Lin e Fedone Avoris, ricercatori IBM, hanno annunciato lo sviluppo di un nuovo transistor al grafene che è più piccolo e più veloce di quello introdotto nel febbraio del 2010. Questo nuovo transistor ha una frequenza di taglio di 155 GHz, rispetto al transistor precedente a 100 GHz.
Il grafene è un foglio piatto di carbonio dello spessore di un atomo e ha la capacità di condurre elettroni a velocità estremamente elevate. Sta rapidamente per sostituire il silicio tradizionale come materiale elettronico di punta per i transistor più veloci.
I dispositivi al grafene sono stati realizzati in precedenza posizionando il foglio di grafene sopra un substrato isolante, come il biossido di silicio. Però, questo substrato può degradare le proprietà elettroniche del grafene. Però, il team di ricercatori ha trovato una soluzione per minimizzarlo.
Un carbonio simile al diamante è posto come strato superiore del substrato su un wafer di silicio. Il carbonio è dielettrico non polare e non intrappola né disperde le cariche tanto quanto il solo biossido di silicio. Questo nuovo transistor al grafene, a causa del carbonio simile al diamante, mostra un'eccellente stabilità alle variazioni di temperatura, comprese temperature estremamente fredde come quella nello spazio.
Questi nuovi transistor ad alta frequenza sono destinati ad applicazioni principalmente nelle comunicazioni come telefoni cellulari, Internet, e radar.
La produzione di questi nuovi transistor al grafene può essere realizzata utilizzando tecnologie già in uso per dispositivi standard in silicio, il che significa che la produzione commerciale di questi transistor potrebbe iniziare in qualsiasi momento.
Lo sviluppo del transistor faceva parte di un progetto di ricerca in corso che IBM sta portando avanti per il programma DARPA (Defense Advanced Research Projects Agency) del Dipartimento della Difesa degli Stati Uniti. L'esercito sta guardando a questa ricerca per aiutare nello sviluppo di transistor a radiofrequenza ad alte prestazioni.
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