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  • I ricercatori dimostrano un migliore trasferimento di calore radiativo per i nanodispositivi
    Piattaforma sperimentale utilizzata per sondare il trasferimento di calore radiativo. (a) Schema di due micropiastre di Si sospese da travi lunghe 706 μm e montate su uno stadio di riscaldamento che ne controlla la temperatura. (b) Diagramma delle piastre calde e fredde rivestite con SiO2 nanostrati e separati da uno spazio di vuoto g=10,7μm. Immagine al microscopio elettronico a scansione del dispositivo (c) e (d) il suo primo piano sulla scatola rettangolare in (c). Credito:Lettere di revisione fisica (2024). DOI:10.1103/PhysRevLett.132.186904

    I ricercatori giapponesi hanno lavorato duramente per mantenere la calma, o almeno, evitare che i loro nanodispositivi si surriscaldino. Aggiungendo un minuscolo rivestimento di biossido di silicio a strutture di silicio di dimensioni micro, sono stati in grado di mostrare un aumento significativo della velocità di calore dissipato. Questo lavoro potrebbe portare a dispositivi elettronici più piccoli ed economici in grado di contenere più microcircuiti.



    Man mano che l'elettronica di consumo diventa sempre più compatta, pur vantando una maggiore potenza di elaborazione, la necessità di gestire il calore di scarto dei microcircuiti è cresciuta fino a diventare una delle principali preoccupazioni.

    Alcuni strumenti scientifici e macchine su scala nanometrica richiedono un'attenta considerazione di come il calore localizzato verrà deviato fuori dal dispositivo per evitare danni.

    Un certo raffreddamento si verifica quando il calore viene irradiato sotto forma di onde elettromagnetiche, in modo simile a come l'energia del sole raggiunge la Terra attraverso il vuoto dello spazio. Tuttavia, la velocità del trasferimento di energia può essere troppo lenta per proteggere le prestazioni dei circuiti elettronici integrati sensibili e densamente popolati.

    Per poter sviluppare la prossima generazione di dispositivi, potrebbe essere necessario stabilire nuovi approcci per affrontare il problema della trasmissione del calore.

    In uno studio recentemente pubblicato sulla rivista Physical Review Letters , i ricercatori dell'Istituto di Scienze Industriali dell'Università di Tokyo, hanno mostrato come la velocità di trasferimento del calore radiativo può essere raddoppiata tra due piastre di silicio su microscala separate da un minuscolo spazio.

    La chiave è stata l'utilizzo di un rivestimento di biossido di silicio che creava un accoppiamento tra le vibrazioni termiche della piastra in superficie (chiamate fononi) e i fotoni (che compongono la radiazione).

    "Siamo stati in grado di mostrare sia teoricamente che sperimentalmente come le onde elettromagnetiche vengono eccitate all'interfaccia dello strato di ossido, aumentando la velocità di trasferimento del calore", afferma l'autore principale dello studio, Saeko Tachikawa.

    La piccola dimensione degli strati rispetto alle lunghezze d'onda dell'energia elettromagnetica e il suo fissaggio alla piastra di silicio, che trasporta l'energia senza perdite, ha permesso al dispositivo di superare i normali limiti di trasferimento di calore e quindi di raffreddarsi più velocemente.

    Poiché l'attuale microelettronica è già basata sul silicio, i risultati di questa ricerca potrebbero essere facilmente integrati nelle future generazioni di dispositivi a semiconduttore.

    "Il nostro lavoro fornisce informazioni sulle possibili strategie di gestione della dissipazione del calore nell'industria dei semiconduttori, insieme a vari altri campi correlati come la produzione nanotecnologica", afferma l'autore senior, Masahiro Nomura.

    La ricerca aiuta anche a stabilire una migliore comprensione fondamentale di come funziona il trasferimento di calore a livello di nanoscala, poiché questa è ancora un'area di ricerca attiva.

    Ulteriori informazioni: Saeko Tachikawa et al, Radiazione termica in campo lontano migliorata attraverso una guida d'onda polaritonica, Lettere di revisione fisica (2024). DOI:10.1103/PhysRevLett.132.186904

    Informazioni sul giornale: Lettere di revisione fisica

    Fornito dall'Università di Tokyo




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