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  • Qual è la differenza tra un transistor bipolare e il transistor dell'effetto campo?

    transistor bipolare giunction (BJT) vs. Field Effect Transistor (FET)

    Sia i BJT che i FET sono dispositivi a semiconduttore a tre terminali utilizzati per amplificare e cambiare segnali elettronici. Tuttavia, differiscono nei loro principi operativi, costruzioni e caratteristiche:

    1. Principio operativo:

    * Bjt: Il flusso di corrente attraverso un BJT è controllato dalla corrente di base . Una piccola corrente di base può controllare una corrente di collettore molto più grande. Il BJT è un dispositivo controllato da corrente .

    * FET: Il flusso di corrente attraverso un FET è controllato dalla tensione di gate . Un cambiamento nella tensione di gate altera la conduttività del canale, controllando così la corrente. Il FET è un dispositivo controllato dalla tensione .

    2. Costruzione:

    * Bjt: I BJT sono fatti di due giunzioni PN -Una giunzione emetter di base e una giunzione-collettore di base. La base è una regione sottile e leggermente drogata inserita tra l'emettitore e il collettore.

    * FET: FETS è costituito da una singola giunzione PN (per JFETS) o una struttura metallo-ossido-semiconduttore (MOS) (per MOSFET). Il cancello è isolato dal canale da uno strato di ossido.

    3. Caratteristiche:

    bjt:

    * Guadagno di corrente più elevato: I BJT hanno generalmente un guadagno di corrente più elevato (β) rispetto ai FET.

    * Impedenza di input inferiore: I BJT hanno una minore impedenza di input rispetto ai FET.

    * Più sensibile alle variazioni di temperatura: I BJT mostrano una sensibilità di temperatura più elevata rispetto ai FET.

    * Più suscettibile al rumore: I BJT tendono ad essere più suscettibili al rumore rispetto ai FET.

    FET:

    * Impedenza di input più alta: I FET hanno un'impedenza di input più elevata rispetto ai BJT.

    * Un minor consumo di energia: I FET consumano generalmente meno potenza di BJTS.

    * Rumore inferiore: I FET tendono ad avere un rumore inferiore rispetto ai BJT.

    * Ampia gamma di frequenze operative: I FET sono adatti per applicazioni ad alta frequenza.

    4. Applicazioni:

    * Bjt: Amplificatori, interruttori, oscillatori, circuiti logici, elettronica di alimentazione e molti altri.

    * FET: Amplificatori a basso rumore, circuiti RF, sensori, amplificatori ad alta frequenza e altro ancora.

    Tabella di riepilogo:

    | Caratteristica | Bjt | Fet |

    | --- | --- | --- |

    | Meccanismo di controllo | Controllato corrente | Tensione controllata |

    | costruzione | Due giunzioni PN | Singola giunzione PN o struttura MOS |

    | guadagno corrente | Alto | Inferiore |

    | Ingresso impedenza | Basso | Alto |

    | Sensibilità alla temperatura | Alto | Basso |

    | rumore | Alto | Basso |

    | Consumo energetico | Alto | Basso |

    | Frequenza operativa | Inferiore | Più alto |

    in conclusione , sia BJTS che FET hanno i loro punti di forza e di debolezza, rendendoli adatti a diverse applicazioni. La scelta tra di loro dipende dai requisiti specifici del circuito.

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