In una struttura MIM, un sottile strato di materiale isolante è inserito tra due elettrodi metallici. Quando viene applicata una tensione agli elettrodi, il campo elettrico nell'isolante può causare la rottura del materiale e la formazione di un percorso conduttivo tra gli elettrodi. Questo processo è chiamato commutazione resistiva.
Le caratteristiche di commutazione resistiva di una struttura MIM dipendono da una serie di fattori, tra cui i materiali utilizzati, lo spessore dello strato isolante e la tensione applicata. Tuttavia, è stato dimostrato che le strutture MIM presentano eccellenti proprietà di commutazione resistiva, rendendole ideali per l'uso in dispositivi di memoria resistiva.
I dispositivi di memoria resistiva sono un tipo di memoria non volatile che utilizza l'effetto di commutazione resistiva per archiviare i dati. I dispositivi di memoria resistiva sono candidati promettenti per una serie di applicazioni, tra cui unità a stato solido, memoria incorporata e calcolo neuromorfico.
